TSM60N380CH C5G
Tillverkare Produktnummer:

TSM60N380CH C5G

Product Overview

Tillverkare:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

TSM60N380CH C5G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 11A TO251
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventarier:

Förfrågan Online
12894509
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TSM60N380CH C5G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
TSM60

Datablad och dokument

Datablad
TSM60N380CH C5G

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
TSM60N380CH C5G-DG
TSM60N380CHC5G

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
taiwan-semiconductor

TSM60N900CI C0G

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB

taiwan-semiconductor

TSM2303CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23

diodes

DMT3009LFVWQ-13

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

diodes

DMTH10H010SCT

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB